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美国麻省理工学院:太赫兹石墨烯器件研制成功
来源:中国石墨烯网 编辑:中国石墨烯网 时间:2013-07-09 点击:
    【导读】美国麻省理工学院研究人员在两片铁电材料之间夹入高迁移率石墨烯薄膜,实现可直接在光信号上操作的太赫兹级频率芯片。受铁电栅级存储器和晶体管工作机理的启发,麻省理工学院研究人员为改善器件性能,向夹层中其中加入了石墨烯材料。
  
    日前,据国外媒体报道,美国麻省理工学院研究人员在两片铁电材料之间夹入高迁移率石墨烯薄膜,实现可直接在光信号上操作的太赫兹级频率芯片。麻省理工学院预计,新材料堆栈将使目前存储器的存储密度提高10倍,制造出直接在光信号上操作的电子器件号。研究人员表示“我们的工作开辟了光信号发射和处理的新领域。”
  
    受铁电栅级存储器和晶体管工作机理的启发,麻省理工学院研究人员为改善器件性能,向夹层中其中加入了石墨烯材料。当特征化混合器件时,他们发现石墨烯中的二维等离子体结构能与铁电材料中的声子极化基元形成强耦合。这使该器件能以极低功耗工作于太赫兹频率。研究人员预测:利用铁电存储器效应,该新器件能以极低功率实现等离子体波导。该器件也为光电信号相互转换提供了新方式,并有望使此类器件的密度提高10倍。
  
    据悉,该项目资金由美国国家科学基金会和空军科学研究办公室提供。其产品一方面将用于空军的装备上,同时也会商品化,用以提高目前已在使用的相关电子器件的技术水平。

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